- contact metal deposition
- осаждение металлических контактов
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics. F.V Lisovsky . 2005.
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics. F.V Lisovsky . 2005.
Ohmic contact — An ohmic contact is a region on a semiconductor device that has been prepared so that the current voltage (I V) curve of the device is linear and symmetric. If the I V characteristic is non linear and asymmetric, the contact is not ohmic, but is… … Wikipedia
Contact electrique — Contact électrique « Faux contact » redirige ici. Pour la série télévisée belge, voir Faux contact (série télévisée). Un contact électrique est un système permettant le passage d un courant électrique à travers deux éléments de circuit… … Wikipédia en Français
Contact Électrique — « Faux contact » redirige ici. Pour la série télévisée belge, voir Faux contact (série télévisée). Un contact électrique est un système permettant le passage d un courant électrique à travers deux éléments de circuit mécaniquement… … Wikipédia en Français
Metal-induced gap states — In bulk semiconductor band structure calculations, it is assumed that the crystal lattice (which features a periodic potential due to the atomic structure) of the material is infinite. When the finite size of a crystal is taken into account, the… … Wikipedia
Contact électrique — « Faux contact » redirige ici. Pour la série télévisée belge, voir Faux contact (série télévisée). Un contact électrique est un système permettant le passage d un courant électrique à travers deux éléments de circuit mécaniquement… … Wikipédia en Français
Gas metal arc welding — RMD redirects here. RMD may also refer to IRA Required Minimum Distributions. Gas metal arc welding … Wikipedia
Faux contact — Contact électrique « Faux contact » redirige ici. Pour la série télévisée belge, voir Faux contact (série télévisée). Un contact électrique est un système permettant le passage d un courant électrique à travers deux éléments de circuit… … Wikipédia en Français
Sputter deposition — is a physical vapor deposition (PVD) method of depositing thin films by sputtering, that is ejecting, material from a target, that is source, which then deposits onto a substrate, such as a silicon wafer. Resputtering is re emission of the… … Wikipedia
Chemical vapor deposition of ruthenium — is a method to deposit thin layers of ruthenium on substrate by Chemical vapor deposition (CVD). A unique challenge arises in trying to grow impurity free films of a catalyst in Chemical vapor deposition (CVD). Ruthenium metal activates C H and C … Wikipedia
Evaporation (deposition) — Evaporation machine used for metallization at LAAS technological facility in Toulouse, France. Evaporation is a common method of thin film deposition. The source material is evaporated in a vacuum. The vacuum allows vapor particles to travel… … Wikipedia
Plasma-enhanced chemical vapor deposition — PECVD machine at LAAS technological facility in Toulouse, France. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate. Chemical reactions are involved… … Wikipedia